ддр 400 что это
Ддр 400 что это
Чипсеты i875P и i865PE официально поддерживают до 4 Гб оперативной памяти, но в четыре имеющихся слота DIMM до недавнего времени можно было установить максимум 2 Гб памяти (4 х 512 Мб), так как максимальный объем одного модуля DDR 400 был ограничен 512 Мб. Разумеется, предельный объем в 4 Гб мог бы понадобиться только самым амбициозным энтузиастам, однако владельцы рабочих станций на базе чипсета i875P тоже не отказались бы от возможности установить все 4 Гб памяти, ибо в некоторых областях применения (типа компьютерной графики) оперативной памяти никогда не бывает много :).
реклама
Судя по всему, для перечисленных выше категорий пользователей наступает благодатная пора. В японской рознице появились модули DDR 400 объемом 1 Гб. В частности, подобную память производит Samsung:
Чипы в упаковке TSOP-II объемом по 64 Мб расположены с обеих сторон модуля (итого 16 штук). Показатель CL для данного типа памяти равен 3.0, что не очень типично для более быстрых модулей DDR 400 объемом 512 Мб, но для такого «увесистого» модуля вполне нормально.
Теперь обратимся к результатам июльского исследования на тему поиска предпочтительной конфигурации памяти для двухканальных чипсетов Intel. Тогда было установлено, что в синхронном режиме (DDR 400, 1:1) наилучшую производительность демонстрируют два двухсторонних модуля или четыре двухсторонних модуля. Таким образом, при синхронном разгоне или работе без разгона предпочтительнее использовать пару или четверку двусторонних модулей DDR 400. Стало быть, желающие обеспечить свою систему всеми 4 Гб оперативной памяти от приобретения описанных сегодня модулей выиграют (в плане производительности, а не цены :)).
Тесты модулей DDR400 семи типов от разных производителей. Влияние настроек памяти в BIOS Setup на быстродействие чипсета nVIDIA nForce2.
На данный момент мэйнстримом в настольных системах можно считать память DDR266 или PC2100. Ее достаточно высокая полоса пропускания (2,1 Гбайт/с) позволяет почти комфортно чувствовать себя современным процессорам AMD Athlon XP и Intel Pentium 4, хотя последним все же не совсем хватает скорости DDR266. Поэтому на смену DDR266 в настольных системах корпорация Intel с недавнего времени активно продвигает память DDR333 или PC2700 с полосой пропускания 2,7 Гбайт/с (см., например, наш обзор), спецификация на которую была утверждена JEDEC всего несколько месяцев назад. Не отстают и платформы на процессорах AMD, где в связи с недавним переходом на системную шину 333 МГц требования к скорости памяти заметно возросли, и именно DDR333 рассматривается в качестве основной памяти будущих систем на Athlon XP. Хотя уже сейчас использование памяти DDR333 приносит весьма весомый прирост производительности для систем как на процессорах AMD (читайте, например, обзоры на www.ferra.ru/online/system/21762, www.ferra.ru/online/system/20799, www.ferra.ru/online/system/20560 и www.ferra.ru/online/system/20800), так и на процессорах Intel Pentium 4 (см. обзоры на www.ferra.ru/online/system/19445, www.ferra.ru/online/system/18460, www.ferra.ru/online/system/17880, www.ferra.ru/online/system/17450, www.ferra.ru/online/system/16382 и www.ferra.ru/online/system/17860). Поскольку вопросы, связанные с применением памяти DDR266 и DDR333 на различных материнских платах и многочисленных чипсетах мы уже многократно освещали в наших предыдущих публикациях на www.ferra.ru/online/system (см., например, список публикаций чуть выше и в конце этой статьи), то сейчас речь пойдет о другом.
В нашем нынешнем практическом исследовании модулей DDR400, присутствующих сейчас на рынке памяти (то есть в магазинах) мы постарались исходить из сугубо практических целей, поэтому здесь не станем касаться некоторых интересных вопросов производства памяти и надежности модулей разных производителей (о них можно почитать, например, на www.ferra.ru/online/system/19343) или теоретических аспектов их функционирования или паспортных технических характеристик (их можно посмотреть на сайтах производителей).
С практической точки зрения нас будут интересовать, прежде всего, три основных вопроса:
1. С какими минимальными таймигами (задержками) модули разных производителей могут работать в качестве DDR400 или DDR333.
3. Как на практике (в реальных приложениях) будет меняться производительность ПК при различных таймингах и частоте работы системной памяти.
Из первых двух пунктов вытекает еще один весьма важный для памяти пункт, который мы будем тестировать косвенно: надежность работы модулей в паспортном режиме эксплуатации.
1. Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3 (объемом по 256 Мбайт)
2. Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4 (объемом по 256 Мбайт)
3. Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256 (объемом по 256 Мбайт)
4. A-Data DDR PC3200 на чипах Winbond (по 256 Мбайт)
5. A-Data DDR PC3200 на чипах Winbond (по 256 Мбайт, односторонний дизайн PCB)
6. TwinMOS PC3200 256 МВ CL2.5 на чипах Winbond (по 256 Мбайт)
7. Corsair CMX256A-3200C2 серии XMS3200v1.1 (по 256 Мбайт)
Исследование основных характеристик модулей памяти DDR
Мы продолжаем цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Очередной экземпляр, попавший в поле нашего исследования 1-ГБ пара модулей (специально «подогнанных друг к другу» для работы в двухканальном режиме) DDR-400 серии +XBL (eXtreme Bandwidth and Latency), предназначенной для оверклокеров, энтузиастов и геймеров. Отличительная особенность этой серии низкие задержки при работе в родном, официальном режиме DDR-400 (2-2-2-5), а также способность работать при частотах вплоть до 266 МГц, т.е. в неофициальных режимах DDR-433, DDR-466, DDR-500 и DDR-533.Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Patriot Memory (подразделение PDP Systems, Inc.)
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.patriotmem.comВнешний вид модуля
Фото модуля памяти
Внешний вид модулей памяти, покрытых обычным алюминиевым теплоотводом красного цвета, вполне привычен для модулей памяти DDR Patriot.Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR серии +XBL на сайте производителя отсутствует. В кратком техническом описании (datasheet) модулей с Part Number PDC1G3200+XBLK указывается, что продукт представляет собой комплект из двух «подогнанных» друг к другу модулей DDR-400 суммарным объемом 1ГБ, способных функционировать в широком интервале частот от 200 МГц (DDR-400, PC3200) до 266 МГц (DDR-533, PC4200) и в номинальном режиме DDR-400 характеризуются очень низкими задержками 2-2-2-5. Рекомендуемые схемы таймингов и рабочие напряжения для каждого из режимов приведены ниже в таблице. Производитель отмечает, что модули проходят 100% тестирование в каждом из указанных режимов при указанных условиях, т.е. фактически гарантирует стабильность их работы во всех перечисленных режимах.
| Скоростной режим | Тайминги | Питающее напряжение |
|---|---|---|
| PC3200 (DDR-400) | 2-2-2-5 | 2.6 2.7V |
| PC3500 (DDR-433) | 2-3-3-6 | 2.6 2.7V |
| PC3700 (DDR-466) | 2-3-3-6 | 2.7 2.8V |
| PC4000 (DDR-500) | 2.5-3-3-7 | 2.75 2.85V |
| PC4200 (DDR-533) | 3-4-4-8 | 2.75 2.85V |
| Параметр | Байты | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 07h | DDR SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Dh | 13 (RA0-RA12) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 02h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6, 7 | 40h, 00h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 04h | SSTL 2.5V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 50h | 5.0 нс (200.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Eh | BL = 2, 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 04h | CL = 2.0 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-0.5) | 23 | 50h | 5.0 нс (200.0 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1.0) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 28h | 10.0 нс 2, CL = 2.0 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 28h | 10.0 нс 2, CL = 2.0 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 28h | 10.0 нс 2, CL = 2.0 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 19h | 25.0 нс 5, CL = 2.0 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 40h | 256 МБ |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41 | 37h | 55.0 нс 11, CL = 2.0 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42 | 41h | 65.0 нс 13, CL = 2.0 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 28h | 10.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 00h | Не определено |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | F4h | 244 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC (показаны только первые значимые байты) | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, 02h | PDP Systems |
| Part Number модуля | 73-90 | 01h, 64h, 08h | Неверно |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое микросхемы SPD выглядит несколько необычно. По данным байта 18, модули поддерживают всего одно значение задержки CAS# = 2. Этому, главному значению задержки сигнала CAS# (CL X), соответствует период синхросигнала 5 нс, т.е. функционирование модулей в режиме DDR-400. Схема таймингов для этого случая совпадает с указанной в техническом описании 2-2-2-5, что по идее должно гарантировать выставление именно этих таймингов по умолчанию BIOS-ами большинства материнских плат. Тем не менее, в байте 23 по непонятной причине прописано и второе, уменьшенное значение задержки CAS# (CL X-0.5, т.е. по идее, неофициальная для DDR величина tCL = 1.5), которому, тем не менее, соответствует тот же самый период синхросигнала 5 нс, т.е. режим DDR-400. Схема таймингов для второго случая, если бы она поддерживалась стандартом, записывалась бы как 1.5-2-2-5. К слову об отклонении от стандарта, среди прочих особенностей содержимого SPD рассматриваемых модулей можно отметить неопределенный номер ревизии SPD «0.0», а также отсутствие данных о Part Number модуля (вместо него приводится некая последовательность байтов 01h, 64h и 08h, непереводимая в текстовый вид), а также их дате изготовления и серийном номере. Код производителя (PDP Systems), тем не менее, указан верно.Конфигурации тестовых стендов
Тестовый стенд №1
Тестовый стенд №2
Тестовый стенд №3
Тестовый стенд №4
Тесты в режиме DDR-400
Первая серия тестов проводилась в стандартном скоростом режиме DDR-400 (стенд №1). Для сопоставления полученных результатов с чем-либо мы провели те же самые тесты с использованием давно имеющейся в распоряжении нашей тестовой лаборатории пары 512-МБ модулей Corsair DDR-400, обладающих столь же низкими таймингами 2-2-2-5 (стенд №2).
Результаты тестов достаточно очевидны и не нуждаются в пояснениях: модули DDR-400 серии +XBLK от Patriot в стандартном режиме DDR-400 обладают отличными скоростными характеристиками. По многим параметрам они не уступают, если и вовсе не оказываются идентичными высокоскоростным модулям Corsair DDR-400 с таймингами 2-2-2-5.
«Тесты стабильности», т.е. тесты модулей в более экстремальных условиях с «разгоном по таймингам» в данном случае не проводим по той простой причине, что значения таймингов 2-2-2-5 на платформе AMD Athlon 64 далее уменьшать просто некуда. Вместо этого, переходим к рассмотрению результатов гораздо более интересной серии тестов в режиме «DDR-500».
Тесты в режиме «DDR-500»
Мы не зря взяли название этого режима в кавычки во-первых, строгого соответствия ему (т.е. функционированию модулей памяти при 250 МГц) здесь нет, во-вторых, частота памяти зависит от частоты процессора.
Какова причина проведения этих тестов? Как известно, последняя ревизия «E» процессоров AMD Athlon 64/FX поддерживает новые, «неофициальные» (они официально не указаны в документации AMD, по всей вероятности, поскольку сами режимы не утверждены стандартом JEDEC) режимы функционирования подсистемы памяти с предельной частотой в 233 и 250 МГц, которые можно задать в BIOS-ах недавних моделей материнских плат, например, ECS RD480-A939. «Предельной» именно потому, что реальная частота зависит от частоты процессора/контроллера памяти (она получается делением ее на некоторый целый делитель) и, как правило, всегда оказывается меньшей по сравнению с этим пределом (MemClk limit).
Таким образом, с последней ревизией процессоров AMD и надлежащей поддержкой со стороны BIOS материнских плат мы теперь можем реально использовать более скоростную, нестандартную память DDR «по ее прямому назначению», не прибегая при этом к разгону остальных компонентов системы посредством повышения частоты FSB. Поскольку рассматриваемые модули поддерживают частоты вплоть до 266 МГц (DDR-533), мы решили незамедлительно воспользоваться ими для тестирования новых режимов работы двухканального контроллера памяти AMD64, интегрированного в процессоры AMD Athlon 64/FX.
Итак, в теории все выглядит хорошо, однако на деле оно оказывается не так, как того можно было бы ожидать. Проблема заключается в уже отмеченной выше неизбежной установке частоты памяти в зависимости от частоты процессора путем ее деления на некоторую целую константу. С одной стороны, это приводит к непостоянству частоты памяти во времени при динамическом изменении частоты процессора с помощью удобной, нужной и полезной технологии AMD Cool`n’Quiet, либо (если по каким-либо причинам эта технология не используется) просто к зависимости частоты памяти от данной конкретной модели процессора, рассчитанного на функционирование при данной конкретной максимальной частоте. С другой стороны (что более важно), тесты показывают, что в неофициальном режиме «DDR-500» процессор зачастую выбирает не тот делитель, который наиболее близко соответствовал бы заданному пределу, а больший, что соответствует меньшей частоте памяти. Все это отражено в приведенной ниже таблице с результатами.
Рассмотрим, для начала, результаты тестов на процессоре AMD Athlon 64 3500+ (стенд №3). В штатном частотном режиме (частота 2.2 ГГц) ожидаемая частота памяти могла бы составлять 244.4 (2200 / 9) МГц, реально же выбирается больший делитель (/10), снижающий ее частоту до 220 МГц (как если бы она была ограничена режимом DDR-466 кстати, тесты, проведенные в этом режиме ограничения частоты, действительно оказались аналогичными). Подтверждением этого является, в частности, величина максимальной реальной ПСП на чтение, составляющая 6915 МБ/с, тогда как теоретический предел 244-МГц шины памяти составляет 7820 МБ/с. Максимальная теоретическая ПСП 220-МГц шины памяти, равная 7040 МБ/с, оказывается гораздо ближе к наблюдаемой величине, т.е. в этом тесте наблюдается 98% эффективность утилизации шины памяти, вполне типичная для этого класса платформ.
Аналогичная картина наблюдается при понижении частоты процессора до 2 ГГц. Ожидаемая частота памяти в этом случае вообще могла бы оказаться предельной 250 (2000 / 8) МГц, тем не менее, и здесь выбирается больший делитель (/9), вновь ближе соответствующий режиму DDR-466, нежели DDR-500 реальная частота памяти оказывается равной 222.2 МГц. Как мы видим, это сопровождается некоторым дальнейшим увеличением максимальной реальной ПСП на чтение до 7029 МБ/с.
Переходим к результатам тестов с участием процессора Athlon 64 FX-57 (стенд №4), позволяющего использовать гораздо более широкий частотный диапазон. Штатный режим (частота 2800 МГц) позволяет достичь несколько большую частоту памяти по сравнению с тем, что мы видели выше. Более того, на этот раз действительное значение частоты совпало с ожидаемым 233.3 МГц (2800 / 12). Максимальная реальная ПСП в этом тесте составила 7193 МБ/с, т.е. примерно 96% от теоретического максимума (7467 МБ/с).
Еще большую частоту памяти нам удалось достичь при понижении частоты процессора до 2.4 ГГц. И вновь ожидаемая частота памяти (240 МГц = 2400 / 10) совпала с реально наблюдаемой, которая проявила себя в виде еще большей максимальной реальной ПСП, равной 7331 МБ/с. Теоретический предел ПСП для 240 МГц составляет 7680 МБ/с, т.е. в этом тесте эффективность утилизации шины памяти составляет примерно 95.5%. Надо заметить, она несколько падает по мере увеличения частоты памяти, что, возможно, отражает реальный предел эффективности памяти DDR как таковой.
Дальнейшее понижение частоты процессора Athlon 64 FX-57 до 2200 и, далее, 2000 МГц, приводит к результатам, аналогичным тем, что мы наблюдали выше при исследовании процессора Athlon 64 3500+ (единственная разница, пожалуй, заключается в том, что на Athlon 64 FX-57 при этих частотах максимальная реальная ПСП, по не совсем понятным причинам, оказывается несколько хуже). А именно, устанавливаются значительно меньшие частоты памяти 220 и 222 МГц, по сравнению с ожидаемыми 244 и 250 МГц, соответственно. Складывается такое впечатление, что установка лимита частоты памяти в 250 МГц в настройках контроллера памяти AMD64 на самом деле ограничивает частоту памяти на уровне 240 МГц именно такой частотный предел нам удалось достичь в реальных условиях.Итоги
Исследованные модули памяти Patriot DDR-400+XBLK можно считать типичными высокоскоростными модулями DDR на сегодняшний день, в связи с доступностью топовых 2-ГБ высокоскоростных модулей уже среднего объема, не уступающих по своим скоростным характеристикам давно известной, аналогичной 1-ГБ паре модулей Corsair DDR-400.
В то же время, в отличие от последних, для Patriot DDR-400+XBLK производителем заявлена поддержка более высокоскоростных режимов от DDR-433 до DDR-533 включительно, которые нам отчасти удалось испытать в настоящем исследовании. Поскольку для этого испытания мы не прибегали к помощи разгона всех компонентов системы по частоте шины, а использовали новые, неофициальные режимы работы интегрированного контроллера памяти последней ревизии «E» процессоров AMD Athlon 64/FX, формально позволяющие использовать частоты памяти до 250 МГц, скажем несколько заключительных слов и о результатах этого исследования.
Итак, модули Patriot DDR-400+XBLK при повышенном напряжении (2.75V) действительно способны устойчиво функционировать при частотах до 240 МГц (более высокие частоты просто не проверялись), достигая при этом несколько меньшую в сравнении с режимом DDR-400, но все равно весьма высокую (порядка 95%) эффективность утилизации пропускной способности шины памяти. Тем не менее, несколько разочаровывает поведение самого контроллера памяти процессоров AMD64, который в ряде случаев использует большие, чем это нужно, делители частоты памяти. В связи с этим, реально наблюдаемая частота памяти находится в интервале примерно от 220 до 240 МГц, в зависимости от частоты процессора, но никак «не дотягивает» до положенных ей и формально возможных 250 МГц.
В то же время, поскольку использование нестандартных делителей частоты памяти все же относится к «твикингу» (использованию недокументированных функций), то в реальности оно чаще всего остается уделом энтузиастов и сочетается с классическим разгоном «по шине». И здесь новые делители действительно здорово помогают например, в случае со старшими процессорами, для которых рассчитывать на существенный разгон не приходится, так что элитная память остается «недоразогнанной». В таком случае, выбрав больший частотный предел (меньший делитель), можно дополнительно разогнать память и с большой вероятностью выбрать без остатка «запас прочности» даже у самых удачных модулей (причем агрессивные делители, соответствующие на номинальной частоте 250 МГц, в таком случае как раз и не нужны).
Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400
Впрочем, начиналась эта история буднично. Зайдя в компьютерный магазин, я стал свидетелем разговора: покупатель попросил консультанта объяснить, чем память Kingston на чипах Hynix лучше «обычной» Hynix, и не лучше ли взять Samsung. Консультант рассказал про гарантию, про упаковку и тщательный контроль качества на фабриках Kingston и покупатель ушел, полностью удовлетворившись ответом. Но меня этот вопрос заинтересовал, и я решил выяснить, чем же на самом деле отличаются модули DDR400 разных производителей.
Большинство пользователей, прочитав статьи про DDR2, поразятся ее частотному потенциалу, и согласятся, что за этой памятью будущее. Но, придя в магазин, все равно остановят свой выбор на DDR400, ибо именно эти модули представляют собой современный mainstream-срез рынка памяти. Они не хватают звезд с неба, не бьют рекордов, но зато работают стабильно на «номинале», обладают разгонным потенциалом и при этом стоят недорого. Обычному пользователю этого будет достаточно. Мы же исследуем разгонный потенциал наиболее популярных модулей DDR400.
Впрочем, уже неоднократно говорилось, что «не все модули одинаково полезны», поэтому нужно учесть, что даже совпадение маркировки не гарантирует совпадение разгонного потенциала. То есть никто не гарантирует, что даже абсолютно идентичный модуль покажет такие же результаты. Ибо не бывает бочки меда без ложки дегтя и стада без паршивой овцы.
Из-за особенностей работы ASUS A8N-SLI с памятью, параметр 1Т/2Т Timing был выставлен в положение 2Т и в процессе тестирования не изменялся. Напряжение на память выставлялось 2,8 В и 3,0 В, но разница в частотном потенциале уложилась в погрешность измерений, потому на диаграммах указывать мы будем лишь одно значение. Для того чтобы процессор не мешал разгону, его множитель был понижен до 8. Проверка стабильности осуществлялась при помощи утилиты Memtest86+ v1.55.
Начать проверку было решено с модулей производства Apacer, и этому есть как минимум две причины. Во-первых, с продукцией данной фирмы мы пока не сталкивались, а во-вторых, если расположить модули по алфавиту в соответствии с названиями фирм-производителей, то именно модули Apacer окажутся в этом списке под первым номером.
Модули ничем особым не выделяются, за исключением надписи на этикетке, сообщающей о том, что память гарантированно работает как PC3200 с CL2.5. Это приятно, так как обычно производители недорогих модулей записывают в SPD значение CL=3, из-за чего пользователи, эксплуатирующие память в номинальном режиме, оказываются в проигрыше по сравнению с теми, кто настраивает память вручную.
Посмотрим, что же записано в SPD этих модулей:
Информация на этикетке не обманула: в SPD для частоты 200 МГц действительно указано значение CL2.5 Правда, остальные параметры такого восторга не вызывают: заявленные значения RAS# to CAS# и RAS# Precharge довольно высоки. Впрочем, судить по этим параметрам о разгонном потенциале нельзя. На что способна данная память в действительности мы сейчас и выясним.
Чтобы выяснить, так ли это, мы решили проверить пару модулей производства Hynix.
Они весьма отличаются от предыдущих модулей. Во-первых, они односторонние, то есть все 8 чипов памяти расположены с одной стороны печатной платы. Во-вторых, здесь мы видим толстопленочные резисторы, тогда как на всех остальных модулях резисторы согласования с шиной выполнены в виде дискретных компонентов. Практика показывает, что с ними частотный потенциал обычно несколько выше, но их применение усложняет и делает более дорогим производство.
Параметры, записанные в SPD, оптимизма не внушают: значение CL = 2.5 доступно на частоте 166 МГц, а CL2 вообще лишь на 133 МГц. Проверим, являются ли такие значения таймингов излишней перестраховкой.
Впрочем, не стоит забывать о довольно популярных «безымянных» модулях. Чем они привлекают своих покупателей? Ответ на данный вопрос очевиден: низкой ценой. Мы же постараемся выяснить, какие еще плюсы есть у подобных модулей. Итак, встречайте:
Честно признаюсь, я не ожидал, что «безымянным» окажется модуль, производитель которого нанес свое имя даже на чипы.
К сожалению, расшифровать маркировку также не удалось, но расстроило это не сильно, ведь важно не то, как тебя зовут, а что ты умеешь! Поэтому не будем задерживаться и пойдем дальше, отметив, что чипы произведены на 11 неделе 2005 года (середина марта).
Тайминги, записанные в SPD, чуть выше тех, что мы видели у Hynix, но тем интереснее будет выяснить разгонный потенциал этих модулей.
Теперь от самых дешевых перейдем к самым дорогим модулям нашего сегодняшнего обзора. Ими оказались модули Kingston KVR.
Эти модули, также как и Hynix, являются односторонними, но мы видим, что резисторы выполнены в виде дискретных компонентов.
Чипы памяти также оказались аналогичными тем, что мы видели у Hynix: HY5DU12822BT-D43, выпущенные на 12 неделе 2005 года. Тайминги, записанные в SPD, также не отличались:
Итак, мы видим, что модули Kingston KVR весьма похожи на Hynix: расположение чипов на PCB, сами чипы и информация, зашитая в SPD, у этих разных модулей практически одинаковы. Посмотрим, будет ли отличаться их разгонный потенциал:
Итак, судя по графику, Kingston превосходит по возможностям обычные модули Hynix лишь при работс с CL=2.5. В остальных же режимах потенциал ниже. Поэтому лично я не вижу причин для того, чтобы переплачивать за имя, когда фактически то же самое можно получить, используя самые обычные модули.
Модули, попавшие к нам на тестирование, оказались односторонними: все 8 чипов расположены с «лицевой» стороны платы. На этикетке написано, что память работает как PC3200 с CL3, что не является выдающимся результатом. Рассмотрим теперь сами чипы:
Первая строка говорит о том, что выпущены они на 4 неделе 2005 года. Вторая строка маркировки оканчивается символами «UCCC», но судя по информации с сайта производителя, эти модули ничем не отличаются от TCCC. В процессе поиска была найдена новость, в которой говорится о том, что теперь память производится по 90-нм техпроцессу и в качестве примера приводится фото модулей UCCC. Поэтому можно сделать вывод, что символ U обозначает лишь принадлежность к новому техпроцессу. Посмотрим, что записано в SPD:
Мы видим, что производитель не поленился и ввел все данные, даже Part Number. Тайминги ничем особенным не удивляют, поэтому не будем долго их рассматривать и незамедлительно приступим к проверке.
При CL=2 результаты оказались довольно низкими, но при увеличении CL до 2.5 разгонный потенциал существенно возрос. При максимальных таймингах память не добрала лишь 2 МГц до уровня 250 МГц, что соответствовало бы DDR500.
Мы видим, что эти модули упакованы в пластиковые коробочки, защищающие их при транспортировке. Оформление упаковки традиционное, а основное отличие от дорогих модулей заключается в габаритах упаковки. Сами модули выглядят традиционно:
Несмотря на то, что пронумерованных слоев всего 4, в описании сказано, что используется 6-слойная PCB. Рассмотрим теперь сами чипы:
Расшифровку маркировки на сайте производителя найти не удалось, поэтому остается предположить, что цифры 0512 означают дату выпуска (12 неделя 2005 года). Теперь посмотрим, что же записал производитель в SPD:
Здесь мы снова видим сходство с Apacer: тайминги, заявленные для частоты 200 МГц, равны 2.5-4-4-8. Таким образом, производитель гарантирует работу на частоте 200 МГц с CL=2.5, что оценят те, кто использует настройки памяти «by SPD». Теперь же посмотрим, на что способны эти модули в действительности:
Тестируемые модули отказывались стартовать с CL=3 на любых частотах. Но ничего страшного в этом нет, тем более что производителем заявлена лишь возможность работы памяти с CL2.5. Разгонный потенциал находится на среднем уровне, поэтому модули производства Samsung превзойти не удалось.
Маркировка чипов оказалась другой: вместо HY5DU12822BT мы видим HY5DU56822DT. Таким образом, узнать эффект от влияния резисторов не представляется возможным. Потому проверку мы продолжили исключительно из спортивного интереса.
Информация, записанная в SPD, ничем не удивила: заявленные тайминги полностью совпали с теми, что мы видели у «обычных» Hynix DDR400.
После сорвавшегося сравнения, проверять эту память особого желания не было. Мысленно я уже говорил себе: «Пускай этот модуль разгонится на 5 МГц хуже, что это докажет? Чипы-то разные», но любопытство все равно одолевало. Чтобы не тратить на проверку слишком много времени, было принято решение просто выставить тайминги 2.5-3-3-6 и оценить предельную частоту. Для начала была выставлена частота 216 МГц, я запустил тест и стал ждать отчета об ошибках…
Лишь только на 260 МГц разгонный потенциал иссяк: после проверки TestMem нашел одну(!) ошибку. Троекратный прогон теста на частоте 259 МГц ошибок не выявил, поэтому можно с уверенностью сказать, что данная память займет первое место по результатам тестирования. Итак, результаты проверки перед вами:
Для наглядности объединим все полученные данные в диаграмму:
Какие же выводы можно сделать?

































